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CS Clean Systems

Applications - Abatement with CLEANSORB Dry Bed Absorbers

Aplicaciones - Reducción con absorbentes CLEANSORB

Process Application Typical Gases or Liquid Precursors Used
Plasma Etch Metal Etch Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
Poly Silicon Etch Cl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8
Nitride Etch, Oxide Etch CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3, SF6, O2
Tungsten Etchback SF6
Ion Implantation High, Medium, Low AsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4
ALD,
LPCVD,
PECVD,
HDP-CVD
TEOS, undoped TEOS, O2, O3
BPSG TEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6
Poly-Si (doped) SiH4, (AsH3, PH3)
Silicon Germanium SiH4, GeH4
Oxide SiH4, O2
Nitride, doped SiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Oxynitride, doped SiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3,B2H6)
Low-k dielectrics 1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS
High-k dielectrics TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET
Gate Electrodes MPA, Ru(Etcp)2, PEMAT
Copper CVD Cu(hfac)(TMVS)
Tungsten (Silicide) WF6, SiH4, H2, (DCS)
Barrier Layers TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, TAETO, W(CO)6
Chamber Clean Plasma PFC C2F6, C4F8, NF3
Remote NF3 plasma F2
Epitaxy Silicon (doped) DCS, TCS, SiH4, HCl, (AsH3, PH3, B2H6)
Silicon-Germanium SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl
Silicon-Carbide (SiC) SiH4, CH4, C3H8, TMA, HCl
Compound Semiconductors,
Optoelectronics,
III-V on Si
GaAs, InP MOVPE (MOCVD) TMGa, AsH3, TBA, TMIn, PH3, TBP
GaN MOVPE (MOCVD) TMGa, NH3, UDMH
MBE (MOMBE) As, P, AsH3, PH3
III-V Etch Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2
Photovoltaics Concentrator Photovoltaics PH3, AsH3, organometálicos, SiH4, GeH4
CIGS H2S, H2Se
Aplicación de proceso Gases o precursores líquidos típicos utilizados
Grabado por plasma seco Corrosión metálica Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
Corrosión con poli silicio Cl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8
Corrosión con óxido-nitruro CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3, SF6, O2
Corrosión con tungsteno SF6
Implantación de iones Alto, medio, bajo AsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4
ALD
LPCVD
PECVD
HDP-CVD
TEOS, sin adulterar TEOS, O2, O3
BPSG TEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6
Poli Si adulterado SiH4, (AsH3, PH3)
Silicio germanio SiH4, GeH4
Óxido SiH4, O2
Nitruro, adulterado SiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Oxinitruro, adulterado SiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3,B2H6)
Dieléctricos con bajo k 1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS
Dieléctricos can alto k TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET
Gate Electrodes MPA, Ru(Etcp)2, PEMAT
CVD de cobre Cu(hfac)(TMVS)
Siliciuro de tungsteno WF6, SiH4, H2, (DCS)
Barrier Layers TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, TAETO, W(CO)6
Limpieza de la cámara Plasma PFC C2F6, C4F8, NF3
Plasma NF3 remoto F2
Epitaxia Silicio (adulterado) DCS, TCS, SiH4, HCl, (AsH3, PH3, B2H6)
Silicio-Germanio SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl
Carburo de Silicio (SiC) SiH4, CH4, C3H8, TMA, HCl
Semiconductores Compuestos
Optoelectrónica
III-V sobre Si
GaAs, InP MOVPE (MOCVD) TMGa, AsH3, TBA, TMIn, PH3, TBP
GaN MOVPE (MOCVD) TMGa, NH3, UDMH
MBE (MOMBE) As, P, AsH3, PH3
Corrosión III-V Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2
Fotovoltaica Concentración Fotovoltaica PH3, AsH3, organometálicos, SiH4, GeH4
CIGS H2S, H2Se
List
Lista
Application list
Lista de aplicaciones
Process Application Typical Gases or Liquid Precursors Used
Plasma Etch Metal Etch Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
Poly Silicon Etch Cl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8
Nitride Etch, Oxide Etch CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3, SF6, O2
Tungsten Etchback SF6
Ion Implantation High, Medium, Low AsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4
ALD,
LPCVD,
PECVD,
HDP-CVD
TEOS, undoped TEOS, O2, O3
BPSG TEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6
Poly-Si (doped) SiH4, (AsH3, PH3)
Silicon Germanium SiH4, GeH4
Oxide SiH4, O2
Nitride, doped SiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Oxynitride, doped SiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3,B2H6)
Low-k dielectrics 1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS
High-k dielectrics TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET
Gate Electrodes MPA, Ru(Etcp)2, PEMAT
Copper CVD Cu(hfac)(TMVS)
Tungsten (Silicide) WF6, SiH4, H2, (DCS)
Barrier Layers TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, TAETO, W(CO)6
Chamber Clean Plasma PFC C2F6, C4F8, NF3
Remote NF3 plasma F2
Epitaxy Silicon (doped) DCS, TCS, SiH4, HCl, (AsH3, PH3, B2H6)
Silicon-Germanium SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl
Silicon-Carbide (SiC) SiH4, CH4, C3H8, TMA, HCl
Compound Semiconductors,
Optoelectronics,
III-V on Si
GaAs, InP MOVPE (MOCVD) TMGa, AsH3, TBA, TMIn, PH3, TBP
GaN MOVPE (MOCVD) TMGa, NH3, UDMH
MBE (MOMBE) As, P, AsH3, PH3
III-V Etch Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2
Photovoltaics Concentrator Photovoltaics PH3, AsH3, organometálicos, SiH4, GeH4
CIGS H2S, H2Se
Aplicación de proceso Gases o precursores líquidos típicos utilizados
Grabado por plasma seco Corrosión metálica Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
Corrosión con poli silicio Cl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8
Corrosión con óxido-nitruro CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3, SF6, O2
Corrosión con tungsteno SF6
Implantación de iones Alto, medio, bajo AsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4
ALD
LPCVD
PECVD
HDP-CVD
TEOS, sin adulterar TEOS, O2, O3
BPSG TEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6
Poli Si adulterado SiH4, (AsH3, PH3)
Silicio germanio SiH4, GeH4
Óxido SiH4, O2
Nitruro, adulterado SiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6)
Oxinitruro, adulterado SiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3,B2H6)
Dieléctricos con bajo k 1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS
Dieléctricos can alto k TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET
Gate Electrodes MPA, Ru(Etcp)2, PEMAT
CVD de cobre Cu(hfac)(TMVS)
Siliciuro de tungsteno WF6, SiH4, H2, (DCS)
Barrier Layers TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, TAETO, W(CO)6
Limpieza de la cámara Plasma PFC C2F6, C4F8, NF3
Plasma NF3 remoto F2
Epitaxia Silicio (adulterado) DCS, TCS, SiH4, HCl, (AsH3, PH3, B2H6)
Silicio-Germanio SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl
Carburo de Silicio (SiC) SiH4, CH4, C3H8, TMA, HCl
Semiconductores Compuestos
Optoelectrónica
III-V sobre Si
GaAs, InP MOVPE (MOCVD) TMGa, AsH3, TBA, TMIn, PH3, TBP
GaN MOVPE (MOCVD) TMGa, NH3, UDMH
MBE (MOMBE) As, P, AsH3, PH3
Corrosión III-V Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2
Fotovoltaica Concentración Fotovoltaica PH3, AsH3, organometálicos, SiH4, GeH4
CIGS H2S, H2Se
Etch
Grabado
Plasma etch
Grabado por plasma
In dry plasma etching, highly reactive radical ions, generated as a low-pressure plasma from halogen gases, are used to etch fine structures into a substrate wafer. Compounds of fluorine, chlorine and bromine are typically used as the primary etch gases, depending on the material to be structured.
Issues critical to the abatement of plasma etch processes include: Loss of production time due to clogging of Metal Etch exhaust lines; Corrosion of ducting by aggressive etch – especially bromine – chemistries; The global warming potential of PFC gases; Emissions of toxic etch by-products to air and water (e.g. arsenic from GaAs etching).
En el grabado por plasma seco, iones radicales altamente reactivos, generados como un plasma de baja presión de los gases de halógeno, se utilizan para grabar estructuras finas en una oblea de sustrato. Los compuestos de flúor, cloro y bromo se utilizan típicamente como los gases primarios, dependiendo del material a ser estructurado.
Cuestiones críticas para la reducción de los procesos de grabado de plasma incluyen: Pérdida de tiempo de producción debido a la obstrucción de las líneas de escape; La corrosión de los conductos; El potencial de calentamiento atmosférico de los gases de PFC; Las emisiones de productos por tóxicos al aire y al agua.
Implante de iones
Plasma etch process Typical gases used
Metal etch Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6
Polysilicon etch Cl2, HBr, CF4, SF6, C4F8, NF3
Dielectric etch CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3
Tungsten etchback SF6
III-V (GaAs) etch Cl2, BCl3, HBr, CH4, SF6
Implant
Implante
Ion implantation
Implante de iones
As the main step in forming p- and n-doped regions during the manufacture of integrated transistor circuits, controlled amounts of Group III, IV and V elements are introduced into the silicon substrate material in very low “dopant“ concentrations.
Although the flowrates of dopants used in ion implantaion are relatively low, the gases used are very toxic and require scrubbing. While most of the contaminants are exhausted from the Ion Source of the implanter, it is also common for both Ion Source and Wafer Chamber to be connected to the CLEANSORB dry bed absorber.
Como el paso principal en la formación de regiones p- y n-dopado durante la fabricación de circuitos de transistores integrados, cantidades controladas de elementos de grupo III, IV y V se introducen en el material del sustrato de silicio en concentraciones muy bajas.
Aunque los caudales de dopantes utilizados en son relativamente bajos, los gases utilizados son muy tóxicos y requieren neutralización. Si bien la mayoría de los contaminantes se eliminan de la fuente de iones del implantador, es común para la fuente de iones y la cámara principal ser conectado a la absorbedor de lecho seco CLEANSORB.
Implante de iones
Ion implantation type Typical gases used
Medium current AsH3, PH3, BF3, SiF4, GeF4
High current
High energy
Photovoltaic
ALD
Atomic Layer Deposition (ALD)
Deposición de capas atómicas (ALD)
Atomic Layer Deposition (ALD) allows the growth of epitaxial and CVD films to be controlled at the atomic level. The film-forming species are introduced alternatingly into the growth chamber to form monolayers, enabling device structures to be grown at dimensions of 20nm and below.
Deposition of latest generation transistor gates and other critical structures require metal complexes and other large molecules which are only available as liquid organometallic sources. CLEANSORB dry bed chemisorber technology offers a safe, efficient solution for a wide range of gaseous and liquid ALD precursors.
Deposición de capas atómicas (ALD) permite el crecimiento de películas epitaxiales y compensatorias a ser controlado a nivel atómico. Las especies formadoras de película se introducen alternativamente en la cámara de crecimiento para formar monocapas, permitiendo estructuras de dispositivos para ser crecido a dimensiones de 20 nm y por debajo.
La deposición de las últimas generación de puertas de transistor y otras estructuras críticas requieren complejos metálicos y otras moléculas grandes que sólo están disponibles como fuentes organometálicos líquidos. Tecnología de lecho seco chemisorber CLEANSORB ofrece una solución segura y eficiente para una amplia gama de precursores ALD gaseosos y líquidos.
Implante de iones
ALD process Typical gases used
Gate electrodes MPA, RU(Cp)2, PEMAT
Low-k dielectrics 1MS, 2MS, 3MS, DMDMOS4
High-k dielectrics TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET
Barrier layers TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, TAETO, W(CO)6
Cleaning
Limpieza
Chamber cleaning
Limpieza de la cámara
Most CVD processes include a Plasma Chamber Clean step to remove deposited silicon, metals, oxides or other CVD by-products from the chamber walls between wafer processing steps.
Most commonly in silicon CVD, an upstream “remote“ plasma source is used to generate fluorine as an etchant from Nitrogen Trifluoride, NF3. The intermittent high flows of corrosive gases used in chamber cleaning pose a challenge to many non-dry abatement technologies. CLEANSORB dry bed absorber technology allows at-source scrubbing of aggressive acidic gases and avoids costly waste water treatment of chlorides and fluorides.
La mayoría de los procesos CVD incluyen una etapa para eliminar el silicio depositado, metales, óxidos u otros CVD subproductos de las paredes de la cámara entre etapas de procesamiento de la oblea.
Comúnmente en CVD de silicio, una fuente de plasma se utiliza para generar flúor como un reactivo de ataque de trifluoruro de nitrógeno, NF3. Los altos flujos intermitentes de gases corrosivos utilizados en la limpieza de la cámara plantean un desafío a muchas tecnologías de reducción no secos. La tecnología de absorción de lecho seco CLEANSORB permite la neutralización de gases ácidos agresivos y evita el tratamiento de aguas residuales caro de cloruros y fluoruros.
Implante de iones
Process application Typical gases used
Silicon chamber clean F2, (from remote NF3F plasma)
MOCVD chamber clean Cl2HCl
Photovoltaic chamber clean F2, (from flourine generator)3
CIGS
CIGS photovoltaics
CIGS fotovoltaica
CIGS Photovoltaics refers to thin films grown from the elements Copper Indium Gallium Selenide (also Sulfide). CIGS structures are deposited as very thin films, increasingly on flexible substrates such as polymers, in addition to glass. Though not all CIGS production processes rely on gases, a common technique employs co-evaporation or sputtering of solid sources to form a Cu-In-Ga alloy which is then selenized and sulfurized using the gases H2Se and H2S. Both of these highly toxic gases lend themselves well to dry bed chemisorption – especially due to the ease and safe handling of the dry reaction by-products. Dedicated CLEANSORB models can be engineered for high volume CIGS manufacturing.
CIGS fotovoltaica se refiere a películas delgadas obtenidas de los elementos de cobre, indio, galio seleniuro (también sulfuro). Estructuras CIGS se depositan como películas muy finas, cada vez más sobre sustratos flexibles, tales como polímeros, además de vidrio. Aunque no todos los procesos de producción CIGS se basan en los gases, una técnica común emplea co-evaporación o pulverización catódica de fuentes sólidas para formar una aleación de Cu-In-Ga que luego se selenizadas y sulfurados utilizando los gases de H2Se y H2S. Ambos gases altamente tóxicos se prestan bien a la quimisorción lecho seco - especialmente debido a la facilidad y manejo seguro de la reacción en seco subproductos. Modelos CLEANSORB dedicados pueden ser diseñados para la fabricación CIGS alto volumen.
Implante de iones
Process application Typical gases used
CIGS photovoltaics H2Se, H2S
MOCVD
Compound semiconductors (MOCVD)
Semiconductores compuestos (MOCVD)
MOCVD, or more correctly, Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE or OMVPE), is a technique used to grow monocrystalline (epitaxial) compounds from Group III and V elements of the periodic table. Compounds such as GaAs, InP and GaN are used to manufacture a diverse range of products, including optoelectronic devices, transistors, solar cells and LEDs, to name a few.
Given the toxicity of the materials used, MOCVD ranks among the most safety-critical of applications in terms of exhaust gas management. Safety of personnel and elimination of toxic emissions to the air and waterways are of primary concern.
MOCVD, o más correctamente, metalorgánico vapor fase epitaxia (MOVPE o OMVPE), es una técnica utilizada para crecer monocristalino (epitaxial) compuestos de los grupos III y V de elementos de la tabla periódica. Los compuestos tales como GaAs, InP y GaN se utilizan para la fabricación de una amplia gama de productos, incluyendo dispositivos optoelectrónicos, transistores, células solares y LEDs, para nombrar unos pocos.
MOCVD, o más correctamente, metalorgánico vapor fase epitaxia (MOVPE o OMVPE), es una técnica utilizada para crecer monocristalino (epitaxial) compuestos de los grupos III y V de elementos de la tabla periódica. Los compuestos tales como GaAs, InP y GaN se utilizan para la fabricación de una amplia gama de productos, incluyendo dispositivos optoelectrónicos, transistores, células solares y LEDs, para nombrar unos pocos.
Implante de iones
MOCVD application Typical gases used
Transistors AsH3Se, PH3, NH3, TBAs, TBP, UDMH, TMAl, TMGa, TMIn, H2
Optoelectronics AsH3Se, PH3, NH3, TBAs, TBP, UDMH, TMAl, TMGa, TMIn, H2
III-V photovoltaics AsH3Se, PH3, NH3, TBAs, TBP, UDMH, TMAl, TMGa, TMIn, H2
LED lighting AsH3Se, PH3, NH3, TBAs, TBP, UDMH, TMAl, TMGa, TMIn, H2
III-V materials on Si AsH3Se, PH3, NH3, TBAs, TBP, UDMH, TMAl, TMGa, TMIn, H2
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