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Movimiento y calefacción en alto vacío y UHV

EC-R - Right-angled deposition stage

EC-R - Plataforma de deposición de ángulo recto

Deposition stage at 90º to flange
The EC-R supports the substrate at a right-angle to the plane of the mounting flange. It can then provide continuous substrate rotation, tilt, heating and electrical biasing. It can also be mounted on UHVD's range of manipulators to provide motion in the X, Y and Z axes. The base EC-R configuration provides polar rotation to adjust the angle of incidence with respect to the depostion flux and sample heating. The modular EC-R concept provides the flexibility to select options such as azimuthal rotation to continuously rotate the substrate to maximise temperature and deposition uniformity.
Electrical biasing is also available, DC and/or RF, to facilitate sputter cleaning prior to deposition or for better control of deposition kinetics. ‘Faraday Dark Space Shielding’ is supplied as standard on all biased stages. This confines plasma to the substrate cradle region. Our proprietary substrate biasing technology provides unrivalled flicker-free performance, typically with zero maintenance and long operational life. X, Y and Z motion can then be added to tailor the stage to meet your specific application.
The concept of this stage was strongly influenced by a complete review of existing right-angled deposition stages to provide unrivalled performance and durability.
By stacking two magnetically-coupled MagiDrive rotary feedthroughs, UHV Design are able to achieve a dual axis, concentric rotation system which eliminates the head positioning gear train typically used in other designs. The absence of any bellows, O-rings or dynamic seals ensures clean, true UHV performance with high reliability making them ideal for critical applications.
High temperature heating
By incorporating UHV Design's latest heater module technology into this stage, improvements upon conventional designs have been achieved in terms of the ultimate temperature capability and uniformity and therefore deposition uniformity. Significant technology resides within the rotary head which enables continuous azimuthal rotation with high precision positioning whilst heating from ambient to 1200º C.
Refractory metal deposition shielding is provided as standard to protect the heating module. The EC-R can also be configured specifically as a retrofit instrument for MBE systems such as the VG Semicon V80H.
Specifications and models are available from the EC-R page on the UHV Design web-site.
La EC-R mantiene el sustrato a ángulo recto a la brida de montaje. Puede proporcionar rotación continua de sustrato, inclinación, calentador, polarización de tension eléctrica. También se puede mostrar en una gama de manipuladores de UHV Design para proporcionar movimiento en los ejes X,Y y Y. La configuración base EC-R proporciona rotación polar para ajustar el ángulo de incidencia con respecto a el flujo de deposición y calentamiento de muestra. El concepto EC-R modular proporciona flexibilidad para seleccionar las opciones como rotación azimutal para rotar el sustrato de forma continua para maximizar la uniformidad de temperatura y de deposición.
Polarización de tension eléctrica esta disponible, CC y/o RF para facilitar la limpieza por pulverizacion catódica antes de deposición or para mejor control de deposición. Faraday Dark Space Shielding se suministra como estándar en todas las plataformas con polarización. Esto mantiene el plasma en la zona de la cuna del sustrato. La tecnología de UHV Design de polarización de sustrato proporciona un rendimiento único sin parpadeo normalmente con mantenimiento cero y larga vida operativa. Movimiento X, Y y Z puede añadirse a la plataforma para adecuarse a aplicaciones especificas.
El concepto de esta plataforma esta altamente influenciado por una revision complete de los existentes plataformas de deposición de ángulo recto para proporcionar un rendimiento y durabilidad sin igual.
Apilando dos manipuladores rotatorios acoplados magnéticamente, UHV Design son sigue un eje doble, sistema de rotación concentrada la cual elimina el sistema de cambios normalmente usado en otros diseños. La ausencia de fuelles, juntas tóricas o juntas dinámicas garantiza un rendimiento limpio y verdaderamente ultra alto vacío con una fiabilidad muy alta haciendo que sean perfectos para aplicaciones criticas.
Alta temperatua
Incorporando la ultima tecnologia de UHV Design del modulo calentador en esta plataforma, se han conseguido unas mejoras sobre los diseños convencionales en cuanto a la capacidad de maxima temperatura y uniformidad y por lo tanto uniformidad de deposición. Esta técnica reside en la cabeza rotatoria lo que proporciona continua rotación azimutal con posicionamiento de gran precision con una temperatura ambiente hasta 1200º C
La protección de deposición de metal refractario se suministra como estándar para proteger el modulo calentador. La EC-R también se puede configurar específicamente como un instrumento actualizado para sistemas de MBE (epitaxia de haces moleculares) como el VG Semicon V80H.
Hay disponibles especificaciones y modelos en la pagina EC-R en el sitio web de UHV Design.
Features
  • 2" to 6" substrate diameters
  • Substrate heating to 1200° C
  • Continuous azimuthal rotation
  • Polar rotation (tilt) up to +/- 180°
  • DC/RF substrate biasing
Características
  • Diametros de sustrato de 2 a 6 pulgadas
  • Calentamiento de sustrato hasta 1200º C
  • Rotación continua azimutal
  • Rotación polar (inclinación) hasta +/- 180º
  • Polarización de tensión de sustrato CC/RF
Deposition stage at 90º to flange
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