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Deposición en vacío

Sputter sources

Fuentes de pulverización catódica

Magnetron from Mantis Deposition
The CUSP magnetron sputter sources are the only commercially available sputter sources that are deep UHV (1x10-11 mbar) compatible sources. The construction contains no elastometer seals and can be baked to 250° C. The feature of UHV compatibility enables ultra pure sputter deposition that eliminates unintentional oxidation and nitridation of materials.
Visit the Mantis Deposition site for more detailed information.
Las fuentes magnetrónicas de pulverización catódica CUSP son las únicas disponibles comercialmente que sean compatibles con alto UHV (1x10-11 mbar).La construcción no contiene sellos elastoméricos y puede ser calentado hasta 250º C. La característica de compatibilidad de UHV permite deposición altamente pura de pulverización catódica que elimina oxidación no deseada y nitridicación de materiales.
Visita el sitio web de Mantis Deposition para obtener información más detallada.
IntroductionIntroducción
IntroductionIntroducción
The CUSP magnetron sputter sources are the only commercially available sputter sources that are deep UHV (1x10-11 mbar) compatible sources. The construction contains no elastometer seals and can be baked to 250° C. The feature of UHV compatibility enables ultra pure sputter deposition that eliminates unintentional oxidation and nitridation of materials.
Las fuentes magnetrónicas de pulverización catódica CUSP son las únicas disponibles comercialmente que sean compatibles con alto UHV (1x10-11 mbar).La construcción no contiene sellos elastoméricos y puede ser calentado hasta 250º C. La característica de compatibilidad de UHV permite deposición altamente pura de pulverización catódica que elimina oxidación no deseada y nitridicación de materiales.
Applications
- Metals deposition
- Dielectrics deposition
- Compound deposition
Aplicaciones
- Deposición metálica
- Deposición dieléctrica
- Deposición de compuestos
Fuentes de pulverización catódica
Features
Características
Features
Características
The CUSP sources have an electrically isolated and grounded water cooling circuit. This eliminates the need for additional equipment or precautions to protect from the biased coolant. Additionally, tap water can be used to cool the source, which reduces the cost of operation.
All sources can be used for DC or RF sputtering.
CUSP-1iU
The CUSP-1iU uses 1" sputter targets up to 1/4" in thickness. Mounted onto a 63 " CF flange, the CUSP-1iU can be integrated to many deposition systems.
CUSP-2iU
The most popular Mantis Deposition magnetron, the CUSP-2iU utilizes 2" sputter targets up to 1/4" in thickness. The source is mounted on a 100 CF flange. An optional gas hood can be fitted to the CUSP-2iU to increase the plasma density directly above the target.
CUSP-3iU
The CUSP-3iU is ideal for applications that have substrate of larger than 4" in diameter. Utilizing a 3" target that is up to 1/4" thickness, the large target area ensures a large area deposition distribution. The CUSP-3iU is configured on a 100 CF flange.
Las fuentes CUSP tienen un circuito de enfriamiento de agua aislado y conectado a tierra. El agua de grifo puede usarse para enfriar la fuente, lo cual reduce los costes del proceso.
Todas las fuentes pueden usarse para pulverización catódica de DC o RF.
CUSP-1iU
Los CUSP-1iU usar blancos de pulverización catódica de 1” de hasta 1/4” de grosor. Montados en bridas 63 CF, el CUSP-1iU puede integrarse en muchos sistemas de deposición.
CUSP-2iU
El magnetrón más popular de Mantis Deposition, utiliza blancos de pulverización catódica de 2” de hasta 1/4” de grosor. La fuente se monta en una brida 100 CF. Una campana de gas opcional puede integrarse en el CUSP-2iU para incrementar la densidad de plasma directamente encima del blanco.
CUSP-3iU
El CUSP-3iU es ideal para aplicaciones cuyo sustrato no supera los 4” de diámetro. Utilizando un blanco de 3” cuyo grosor es de hasta 1/4”, la gran zona del blanco asegura un área grande de distribución de deposición. El CUSP-3iU se configura en una brida de 100 CF.
Options
Opciones
Options
Opciones
Manual or Motor-Driven Shutter
All of the CUSP magnetron sputter sources can be outfitted with integrated shutters. Both manual and motor-driven actuation is available. All shutters utilize magnetically coupled rotation drives and are bellows free. This design provides unsurpassed longevity.
Gas Hood
The sources can be fitted with gas hoods in order to reduce operational pressure of the sources.
In-situ Tilt
The sources can be designed to have an in-situ tilt (+/-30°) without breaking the vacuum in the chamber.
Z-shift
The sources can be placed on Z-shift to change the position of source in the chamber.
Power Supply
A range of power supplies is available to provide controlled DC or reactive RF sputter deposition.
MFC controller
The Mantis Deposition MFC controller can be coupled with any of the CUSP sources to manage gas flow for up to four different gas lines. The unit can be interfaced to MKS and Bronkhorst mass flow controllers and can be mounted in a standard electronics rack. The MFC controller has four digital displays indicating the flow setting for each unit and has integrated Gas Calibration Factors and Full Scale ranges for gas flow which are selectable from the front panel.
Process automation
Automated process control can be paired with the CUSP sources and supporting hardware to enable the operators to program highly reproducible recipe driven processes. The software can interface to the power supplies, gas control and motorised shutter of one or multiple CUSP sources.
Obturadores manuales o por motor
Todos los obturadores magnetrónicas de pulverización catódica pueden equiparse con obturadores integrados. Ambos manuales y de motor están disponibles. Todos los obturadores utilizan manipuladores girables acoplados magnéticamente y no tienen fuelles. Este diseño asegura una vida media muy larga.
Campanas de gas
Estas fuentes pueden integrar campanas de gas ara reducir la presión operacional de la fuente.
Inclinación in-situ
Las fuentes pueden estar diseñadas para tener un ángulo in-situ (+/-30º) sin romper el vacío de la cámara.
Z-shift
Las fuentes pueden estar en el Z-shift para cambiar la posición de la fuente de la cámara.
Suministro de potencia
Están disponibles una variedad de suministros de potencia para aportar deposición de pulverización catódica controlada DC o reactivo RF:
Controlador MFC
El controlador MFC Mantis Deposition puede acoplarse a cualquier fuente de CUSP para mantener flujos gaseosos para hasta cuatro líneas de gas distintas. La unidad puede conectarse a controladores de flujo en masa de MJS y Bronkhorst y montarse en una grada estándar electrónica. El controlador MFC tiene cuatro pantallas digitales que indican el ajuste de flujo para cada unidad y tiene Factores de Calibración de Gas integrados y rangos de escala completa para el flujo de gas, seleccionables en el panel frontal.
Automatización de proceso
El control de automatización del proceso puede acoplarse a las fuentes CUSP y al hardware para permitir que los operadores programen procesos reproducibles de receta. El software puede unir los suministradores de potencia, de control de gas y obturadores motorizados de uno o más fuentes CUSP.
Specifications
Especificaciones
Specifications
Especificaciones
Model CUSP-1iU CUSP-2iU CUSP-3iU
Mounting Flange 63 CF 100 CF 100 CF
Target Diameter 1" (25 mm) 2" (50 mm) 3" (75 mm)
Max. Target Thickness 4 mm 6 mm 6 mm
In-vacuum Diameter 60 mm 70 mm 96 mm
In-vacuum Length 150 mm (min) 400 mm (max) 150 mm (min) 400 mm (max) 150 mm (min) 400 mm (max)
Minimum Cooling Water (0.5 l/min) Water (0.5 l/min) Water (0.5 l/min)
Modelo CUSP-1iU CUSP-2iU CUSP-3iU
Brida de montaje 63 CF 100 CF 100 CF
Diámetro del blanco 1" (25 mm) 2" (50 mm) 3" (75 mm)
Grosor máx. del blanco 4 mm 6 mm 6 mm
Diámetro en vacío 60 mm 70 mm 96 mm
Longitud en vacío 150 mm (min) 400 mm (max) 150 mm (min) 400 mm (max) 150 mm (min) 400 mm (max)
Enfriamiento mínimo Agua (0,5 l/min) Agua (0,5 l/min) Agua (0,5 l/min)
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Angle valvesVálvulas de ángulo
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