Oxford Instruments Plasma Technology ha actualizado sus boletines informativos sobre las Técnicas ALD y ALE (Deposición Atómica de Capas – o Atomic Layer Deposition en inglés y Grabado Atómico de Capas – o Atomic Layer Etching en inglés).
Técnicas ALD y ALE
Técnica ALD (Atomic Layer Deposition)
La técnica ALD consiste en la deposición controlada de películas ultra-finas y sirve para aquellas aplicaciones que se lleven a cabo a una escala nanométrica, con revestimientos conformales en estructuras de alto ratio de aspecto (high aspect ratio structures – HARS).
– Crecimiento capa por capa atómico autolimitante
– Revestimiento altamente conforme
– Depósito sin orificios y sin partículas
– Bajo daño de plasma
– Procesos ALD de baja temperatura
– Retraso de nucleación reducido
– Amplia gama de materiales
Técnica ALE (Atomic Layer Etching)
La técnica ALE permite la eliminación precisa de material capa por capa; un nivel de control inalcanzable a través de técnicas de grabado convencionales.
– Daño ultra bajo
– Alta selectividad
– Control de profundidad ultra preciso
– Operación de ultra baja potencia
– Posibilidad de grabar en ALE o modo de grabado normal
